日本 CKD 喜开理延迟真空电磁阀 HVL12 详解

更新时间：2025-10-09

点击次数：39

日本 CKD 喜开理延迟真空电磁阀 HVL12 详解（核心参数、优势、型号组成）

日本 CKD 喜开理作为流体控制领域，其 HVL12 系列延迟真空电磁阀专为高精密真空系统设计，凭借精准的延迟控制与优异的密封性能，广泛应用于半导体制造、真空镀膜、电子元件封装等工业场景。以下从核心参数、产品优势、型号组成三方面进行全面解析。

HVL12 系列采用直动式结构与特殊密封技术，在真空保持与延迟控制方面表现突出，关键参数如下表所示：

参数类别	具体规格	说明来源
基础参数	节流孔径：1.2mm 配管口径：Rc1/8、1/4″双卡套接头、NW10.16 真空夹紧接头 Cv 值：0.05
真空性能	使用压力范围：1.3×10⁻⁶～2.0×10⁵Pa（abs）阀座泄漏量：≤1.3×10⁻⁹Pa・m³/s（He）外部泄漏量：≤1.3×10⁻⁹Pa・m³/s（He）
压力特性	最高工作压力差：0.2MPa 耐压力：0.5MPa
电气参数	额定电压：DC24V、AC100V、AC200V 电压波动范围：额定电压 ±10% 功耗：4W 延迟时间：AC≤8s、DC≤10s（误差 ±35%）
环境适配	流体温度：5～50℃ 环境温度：0～50℃ 适用流体：干燥空气、氮气
物理参数	安装方式：自由安装重量：AC 型 0.5kg、DC 型 0.2kg（Rc1/8 接口）动作频率：≤0.5 次 / 分钟

注：流体需保持干燥，否则可能显著缩短产品耐久性；DC 型具有极性，需按红正黑负接线。

采用特殊密封材质与阀座结构设计，泄漏量控制在 1.3×10⁻⁹Pa・m³/s 以下，可满足高真空系统的严苛要求。在半导体晶圆制造等场景中，能有效防止外部杂质侵入真空腔室，避免产品污染导致的良率下降。同时，断电后可维持真空状态，配合延迟功能实现腔室保护。

内置断电延迟模块，可根据电压类型设定 8 秒（AC）或 10 秒（DC）的延迟时间，精准控制真空腔室的大气开放时序。在真空镀膜设备中，能确保真空泵与腔室之间的管路先泄压，再开放大气，避免停电时油分倒灌污染腔室，降低设备维护成本。

采用薄型线圈与一体化阀体设计，重量最轻仅 0.2kg，且支持自由安装方式，可灵活嵌入真空镀膜机、电子束加工机等空间受限的设备内部。搭配多种标准化真空接头，能快速与现有管路对接，减少安装工时。

覆盖从高真空（1.3×10⁻⁶Pa）到常压（2.0×10⁵Pa）的全压力范围，适配空气、氮气等多种惰性气体介质。提供 DC24V、AC200V 等常见电压选项，可直接匹配工业设备的电源系统，无需额外配置变压器。

CKD HVL12 系列型号采用模块化编码规则，通过后缀组合明确产品规格，以典型型号HVL12-4S6-5-AC200V为例，各部分含义如下：

型号分段	代码含义	可选规格示例
HVL12	系列代号：HVL 表示延迟真空电磁阀，12 为基础型号标识	固定为 HVL12
4S6	结构参数：前两位表示节流孔径相关规格，后一位为配管接口类型	4S6（Rc1/8 接口）、5S8（1/4″双卡套）
5	安装与功能选项：代表标准安装方式及基础功能配置	5（标准型）、6（带手动应急机构）
AC200V	电气规格：明确额定电压类型与数值	DC24V、AC100V、AC200V

该产品目前已广泛应用于三大领域：一是电子制造，如 LCD 面板真空贴合设备的腔室压力控制；二是精密仪器，在分子加速器的真空管路中实现安全泄压；三是新材料加工，配合真空烧结炉完成陶瓷制品的无氧烧结过程。

返回列表